Общие характеристики:
Форм-фактор - DIMM / Дополнительные характеристики:
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 35 /
CAS Latency (CL) - 11 /
RAS to CAS Delay (tRCD) - 11 /
Row Precharge Delay (tRP) - 11 /
Буферизованная (регистровая) - Нет /
Количество контактов - 240 /
Количество модулей в комплекте - 1 шт /
Количество ранков - 2 /
Количество чипов на модуле - 16 шт /
Компоновка чипов на модуле - Двусторонняя /
Низкопрофильная - Да /
Нормальная операционная температура (Tcase) - 85 °C /
Объем одного модуля - 8 ГБ /
Поддержка ECC - Нет /
смотреть все
-
- Производитель Kingston
- Доступность: На складе 5-7 дней
- Код товара: KVR16LN11/8WP-19
- Бонусные баллы: 41
| Общие характеристики |
| Форм-фактор |
DIMM |
| Дополнительные характеристики |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
35 |
| CAS Latency (CL) |
11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
| Буферизованная (регистровая) |
Нет |
| Количество контактов |
240 |
| Количество модулей в комплекте |
1 шт |
| Количество ранков |
2 |
| Количество чипов на модуле |
16 шт |
| Компоновка чипов на модуле |
Двусторонняя |
| Низкопрофильная |
Да |
| Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
| Объем одного модуля |
8 ГБ |
| Поддержка ECC |
Нет |
| Пропускная способность |
12800 Мб/с |
| Радиатор |
Нет |
| Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
| Суммарный объем |
8 ГБ |
| Эффективная частота |
1600 МГц |
| Стандарт |
DDR3 |
| Напряжение питания (В) |
1.35 В |
Описание
Модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LN11/8WP 1600MHz CL11 1.35V 2R 4Gbit - это превосходный выбор для тех, кто ищет качественную и надежную оперативную память для своего компьютера. Данный модуль обладает оптимальными характеристиками и обеспечивает эффективную работу системы.
Основные характеристики модуля памяти включают 8 ГБ ёмкости и скорость 1600 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных и позволяет справиться с требовательными задачами. Значение CL11 указывает на задержку CAS (Column Address Strobe), что демонстрирует высокую производительность модуля. Низкое напряжение 1.35V не только способствует энергосбережению, но также снижает нагрев и продлевает срок службы компонента.
Модуль KVR16LN11/8WP оснащен 2-ранжировкой, что гарантирует улучшенную производительность и стабильность работы системы. Технология 4Gbit означает использование 4-гигабитных чипов памяти, что обеспечивает высокую емкость и совместимость с широким спектром систем.
Теперь о предложении в нашем магазине Восторг-Бт. Мы предлагаем данный модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LN11/8WP 1600MHz CL11 1.35V 2R 4Gbit по выгодной цене. У нас вы получите не только качественный товар от известного производителя, но также можете быть уверены в его оригинальности и долговечности.
Приобретая модуль памяти DDR3 8GB Kingston KVR16LN11/8WP 1600MHz CL11 1.35V 2R 4Gbit в магазине Восторг-Бт, вы получаете не только отличное качество и надежность, но и выгодное предложение по цене. Не упустите возможность улучшить производительность вашего компьютера с помощью этого модуля от Kingston и сделайте заказ прямо сейчас.
