Общие характеристики:
Форм-фактор - DIMM / Дополнительные характеристики:
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24 /
CAS Latency (CL) - 9 /
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9 /
Row Precharge Delay (tRP) - 9 /
Буферизованная (регистровая) - Нет /
Вид поставки - OEM /
Количество контактов - 240 /
Количество модулей в комплекте - 1 шт /
Количество чипов на модуле - 8 шт /
Компоновка чипов на модуле - Односторонняя /
Низкопрофильная - Нет /
Нормальная операционная температура (Tcase) - 85 °C /
Объем одного модуля - 4 ГБ /
Поддержка ECC - Нет /
смотреть все
-
- Производитель Qumo
- Доступность: По запросу
- Код товара: QUM3U-4G1333K9R-19
- Бонусные баллы: 14
| Общие характеристики |
| Форм-фактор |
DIMM |
| Дополнительные характеристики |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
24 |
| CAS Latency (CL) |
9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
9 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
9 |
| Буферизованная (регистровая) |
Нет |
| Вид поставки |
OEM |
| Количество контактов |
240 |
| Количество модулей в комплекте |
1 шт |
| Количество чипов на модуле |
8 шт |
| Компоновка чипов на модуле |
Односторонняя |
| Низкопрофильная |
Нет |
| Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
| Объем одного модуля |
4 ГБ |
| Поддержка ECC |
Нет |
| Пропускная способность |
10660 Мб/с |
| Радиатор |
Нет |
| Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
| Суммарный объем |
4 ГБ |
| Эффективная частота |
1333 МГц |
| Стандарт |
DDR3 |
| Напряжение питания (В) |
1.5 В |
| Габариты и вес |
| Габариты |
133.35 x 30 мм |
Описание
Модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1333K9R PC3-10660 1333MHz CL9 1.5V - это надежный компонент для вашего компьютера, который обеспечит высокую производительность и улучшит быстродействие системы.
Данный модуль памяти DDR3 имеет емкость 4GB, что является оптимальным объемом для обычных задач, включая игры, работы с большими объемами данных и мультимедийные приложения. Благодаря скорости передачи данных 1333MHz и поддержке технологии передачи данных с двойным каналом, этот модуль памяти обеспечивает плавную и быструю работу системы.
CL9 обозначает задержку строк с таймингом 9, что гарантирует быструю обработку данных и отзывчивость системы. Напряжение питания составляет 1.5V, что позволяет экономить энергию и снижает нагрев компонента при работе.
Модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1333K9R PC3-10660 1333MHz CL9 1.5V отличается высоким качеством и надежностью. Он прошел строгие испытания и сертификацию для обеспечения стабильной работы и длительного срока службы. Кроме того, данный модуль памяти совместим с большинством материнских плат и операционных систем, что делает его универсальным решением для обновления вашего компьютера.
В магазине Восторг-Бт мы предлагаем данный модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1333K9R PC3-10660 1333MHz CL9 1.5V по выгодной цене. Вместе с высоким качеством и надежностью, вы также получаете гарантию на продукт, что подтверждает наше доверие к данному товару. Приобретая модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1333K9R PC3-10660 1333MHz CL9 1.5V у нас, вы получаете не только отличное качество, но и выгодное предложение, которое поможет вам сэкономить деньги и повысить производительность вашего компьютера.
