Общие характеристики:
Форм-фактор - SODIMM / Дополнительные характеристики:
CAS Latency (CL) - 19 /
RAS to CAS Delay (tRCD) - 19 /
Row Precharge Delay (tRP) - 19 /
Буферизованная (регистровая) - Нет /
Количество контактов - 260 /
Количество модулей в комплекте - 1 шт /
Количество ранков - 1 /
Низкопрофильная - Нет /
Объем одного модуля - 8 ГБ /
Поддержка ECC - Нет /
Пропускная способность - 21300 Мб/с /
Радиатор - Нет /
Суммарный объем - 8 ГБ /
Эффективная частота - 2666 МГц /
смотреть все
-
- Производитель Crucial
- Доступность: По запросу
- Код товара: CB8GS2666
- Бонусные баллы: 22
Общие характеристики |
Форм-фактор |
SODIMM |
Дополнительные характеристики |
CAS Latency (CL) |
19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
Буферизованная (регистровая) |
Нет |
Количество контактов |
260 |
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
Количество ранков |
1 |
Низкопрофильная |
Нет |
Объем одного модуля |
8 ГБ |
Поддержка ECC |
Нет |
Пропускная способность |
21300 Мб/с |
Радиатор |
Нет |
Суммарный объем |
8 ГБ |
Эффективная частота |
2666 МГц |
Стандарт |
DDR4 |
Описание
Модуль памяти DDR4 8GB Crucial CB8GS2666 2666MHz OEM PC3-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank - отличное решение для повышения производительности вашего компьютера. С данным модулем вы сможете значительно увеличить скорость работы системы и запуск приложений, а также улучшить многозадачность.
Характеристики товара:
1. Тип памяти: DDR4
2. Объем: 8GB
3. Частота: 2666MHz
4. Форм-фактор: SO-DIMM 260-pin
5. Напряжение: 1.2В
6. Задержка CAS: CL19
7. Ранг: single rank
8. OEM версия
9. Размеры: 13 x 3 x 0.5 см
10. Вес: 0.03 кг
11. Цвет: зеленый
Этот модуль памяти от Crucial обеспечит стабильную работу вашего устройства и позволит вам наслаждаться быстрой и эффективной работой компьютера. Установка данного модуля проста и не требует специальных навыков. Приобретайте модуль памяти DDR4 8GB Crucial CB8GS2666 и ощутите разницу в производительности вашего устройства!