| Общие характеристики | |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Дополнительные характеристики | |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Буферизованная (регистровая) | Нет |
| Количество контактов | 260 |
| Количество модулей в комплекте | 1 шт |
| Количество ранков | 1 |
| Низкопрофильная | Нет |
| Объем одного модуля | 8 ГБ |
| Поддержка ECC | Нет |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Радиатор | Нет |
| Суммарный объем | 8 ГБ |
| Эффективная частота | 2666 МГц |
| Стандарт | DDR4 |
Модуль памяти DDR4 8GB Crucial CB8GS2666 - это оперативная память типа DDR4 для настольных и ноутбуков. Этот модуль имеет объем 8 ГБ и тактовую частоту 2666 МГц, что обеспечивает высокую производительность при выполнении различных задач.
Он имеет форм-фактор SO-DIMM 260-pin, что означает, что этот модуль памяти предназначен для использования в ноутбуках и компьютерах с малыми габаритами корпуса. Он также имеет низкое напряжение питания 1.2В, что позволяет уменьшить энергопотребление и повысить эффективность работы системы.
Данный модуль памяти имеет задержку CL19 и является одноранговым (single rank) модулем, что означает, что он содержит один ряд памяти на каждой стороне модуля. Это может повлиять на производительность в случае, если система поддерживает только двухразрядную адресацию памяти.
Также следует отметить, что данный модуль является OEM, что означает, что он не поставляется в розничной упаковке и может отличаться от розничной версии по дизайну и комплектации. Однако это не влияет на качество и функциональность модуля памяти.
