Оперативная память (страница 3)



Оперативная память Value DIMM DDR4 4GB 2666MHz

840р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Тип памяти - DDR4 / Форм-фактор - 288-pin UDIMM / Напряжение питания (В) - 1.2 / Количество чипов модуля - 8 / Контроль ошибок - NON-ECC
Оперативная память Value DIMM DDR4 4GB 2400MHz

840р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Тип памяти - DDR4 / Форм-фактор - 288-pin UDIMM / Напряжение питания (В) - 1.2 / Количество чипов модуля - 8 / Контроль ошибок - NON-ECC
Модуль памяти DDR3 4GB Patriot PSD34G1600L81 Signature Line PC3-12800 1600MHz CL11 1.35V SR RTL

840р.

Наличие:На складе 6-7 Дней

Тип памяти - DDR3L / Форм-фактор - DIMM / CAS Latency (CL) - 11 / Поддержка ECC - нет / Пропускная способность - 12800 Мб/с
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB AMD R534G1601S1SL-U 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, Non-ECC, Retail

840р.

Наличие:На складе 6-7 Дней

Линейка - Entertainment Series / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 28 / CAS Latency (CL) - 11 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 11
Модуль памяти DDR3 8GB Netac NTBSD3P16SP-08 PC3-12800 1600MHz C11 1.35V

870р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Тип памяти - DDR3 / Форм-фактор - DIMM / Назначение - для ПК / CAS Latency (CL) - 11 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 11
Модуль памяти DDR3 4GB Qumo QUM3U-4G1333K9 PC3-10660 1333MHz CL9 1.5V

930р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Форм-фактор - DIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24 / CAS Latency (CL) - 9 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 9 / Row Precharge Delay (tRP) - 9
Модуль памяти SODIMM DDR3 4GB Patriot PSD34G13332S PC3-10600 1333MHz CL9 1.5V RTL

930р.

Наличие:На складе 6-7 Дней

Линейка - Signature Line / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24 / CAS Latency (CL) - 9 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Модуль памяти DDR4 4GB Netac NTBSD4P26SP-04 PC21300, 2666Mhz, C19

990р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Тип памяти - DDR4 / Форм-фактор - DIMM / CAS Latency (CL) - 19 / Пропускная способность - 21300 Мб/с / Радиатор - нет
Модуль памяти DDR4 4GB AMD R744G2606U1S-UO R7 Performance PC4-21300 2666MHz CL16 288-pin 1.2V XMP Радиатор OEM

1 000р.

Наличие:На складе 6-7 Дней

Тип памяти - DDR4 / Форм-фактор - DIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 35 / CAS Latency (CL) - 16 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 18
Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB AMD R744G2606S1S-UO PC4-21300 2666MHz CL16 1.2V Bulk

1 010р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Линейка - R7 / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 38 / CAS Latency (CL) - 16 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 16
Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB AMD R944G3206S1S-UO PC4-25600 3200MHz CL16 1.2V Bulk/Tray

1 030р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Максимальная выделяемая мощность - 3 Вт / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 52 / CAS Latency (CL) - 22 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 22
Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB AMD R744G2400S1S-U PC4-19200 2400MHz CL16 1.2V RTL

1 030р.

Наличие:На складе 6-7 Дней

Линейка - R7 / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 36 / CAS Latency (CL) - 16 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 16
Модуль памяти DDR3 8GB AMD R538G1601U2SL-U 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1.35V, Non-ECC, RTL

1 040р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Тип памяти - DDR3L / Форм-фактор - DIMM / Цвет - черный / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 28 / CAS Latency (CL) - 11
Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Netac NTBSD4N26SP-04 PC21300, 2666Mhz, C19

1 050р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Максимальная выделяемая мощность - 3 Вт / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 43 / CAS Latency (CL) - 19 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 19
Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB AMD R944G3206S1S-U PC4-25600 3200MHz CL161.2V Retail

1 050р.

Наличие:На складе 5-7 дней

Максимальная выделяемая мощность - 3 Вт / Форм-фактор - SODIMM / Activate to Precharge Delay (tRAS) - 52 / CAS Latency (CL) - 22 / RAS to CAS Delay (tRCD) - 22
Показано с 31 по 45 из 456 (всего 31 страниц)